Inversor elevador de cascada cuasi conmutado de cinco niveles trifásico
Autores: Tran, Van-Thuan; Nguyen, Minh-Khai; Ngo, Cao-Cuong; Choi, Youn-Ok
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Inversor elevador de cascada cuasi conmutado de cinco niveles trifásico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Papel
Trifásico
Puente en H cascada de cinco niveles
Inversor elevador cuasi conmutado
Método de control PWM
índice de modulación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
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Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un inversor elevador de puente en H de cinco niveles en cascada de tres fases conmutado cuasi-switched (CHB-qSBI). Los méritos del CHB-qSBI son los siguientes: conversión de una sola etapa, inmunidad a cortocircuitos, voltaje de aumento-reducción y componentes pasivos reducidos. Además, se aplica un método de control PWM a la topología CHB-qSBI para mejorar el índice de modulación. El estrés de voltaje en los dispositivos semiconductores de potencia y el capacitor es significativamente menor utilizando control de modulación de ancho de pulso (PWM) mejorado. Además, al controlar el ciclo de trabajo individual de cortocircuito, el voltaje de enlace CC de cada módulo puede lograr los mismos valores. Como resultado, el problema de desequilibrio del voltaje de enlace CC puede ser resuelto. Se ilustra un análisis detallado y principio de funcionamiento con el esquema de modulación y una comparación exhaustiva para el CHB-qSBI. Se presentan resultados experimentales y de simulación para validar el principio de funcionamiento del CHB-qSBI de tres fases.
Descripción
Este documento presenta un inversor elevador de puente en H de cinco niveles en cascada de tres fases conmutado cuasi-switched (CHB-qSBI). Los méritos del CHB-qSBI son los siguientes: conversión de una sola etapa, inmunidad a cortocircuitos, voltaje de aumento-reducción y componentes pasivos reducidos. Además, se aplica un método de control PWM a la topología CHB-qSBI para mejorar el índice de modulación. El estrés de voltaje en los dispositivos semiconductores de potencia y el capacitor es significativamente menor utilizando control de modulación de ancho de pulso (PWM) mejorado. Además, al controlar el ciclo de trabajo individual de cortocircuito, el voltaje de enlace CC de cada módulo puede lograr los mismos valores. Como resultado, el problema de desequilibrio del voltaje de enlace CC puede ser resuelto. Se ilustra un análisis detallado y principio de funcionamiento con el esquema de modulación y una comparación exhaustiva para el CHB-qSBI. Se presentan resultados experimentales y de simulación para validar el principio de funcionamiento del CHB-qSBI de tres fases.