En este estudio, se diseñó un interruptor de un solo polo y un solo tiro (SPST) de GaN de banda W. Para realizar los modos de paso y aislamiento del interruptor SPST, propusimos la técnica de diseño de una rama unitaria que consiste en un transistor y una transmisión. La impedancia característica y la longitud de la línea de transmisión se determinaron por la impedancia y el ángulo en el que la línea recta que conecta las impedancias de los estados de encendido y apagado del transistor se encuentra con el eje real del gráfico de Smith. Utilizando la técnica de diseño, las redes de adaptación para los modos de paso y aislamiento del interruptor se completan simultáneamente. Para mejorar la pérdida de inserción y las características de aislamiento del interruptor, se investigó el tamaño del transistor y el número de ramas unitarias. Para verificar la viabilidad de la técnica de diseño propuesta, diseñamos el interruptor SPST de banda W utilizando un proceso de GaN HEMT de 100 nm. La pérdida de inserción medida y el aislamiento estaban por debajo de 2.9 dB y por encima de 23.5 dB, respectivamente, en el rango de frecuencia de 91 GHz a 101 GHz.