En este documento se describe un interruptor no volátil basado en transistores de compuerta flotante de tipo n. Los estados del interruptor se programan a través del voltaje de la compuerta flotante de la celda de memoria, lo que permite niveles más altos que el suministro de la aplicación. Además, debido a su naturaleza no volátil, se reduce el consumo de energía. La resistencia en estado activo, que no depende del voltaje de suministro, es una de las mayores ventajas de este tipo de interruptor en comparación con los interruptores convencionales. Este beneficio puede ser explotado con éxito en aplicaciones de baja tensión. La resistencia en estado activo del interruptor puede aumentarse sin necesidad de aumentar el área del interruptor. Las características del interruptor propuesto fueron confirmadas por los resultados experimentales obtenidos en un chip de prueba fabricado en un proceso EEPROM de 0.18 um. Se obtuvieron valores de resistencia en estado activo medidos entre 45 y 70 para un voltaje de compuerta flotante de 6.2 V y niveles de fuente de entrada por debajo de 2 V. El voltaje de programación requerido fue de 18 V. La corriente de fuga máxima en estado inactivo se midió en 5 nA.