El propósito del estudio es presentar un enfoque adecuado que garantice el principio de conservación de energía durante las simulaciones electro-térmicas de dispositivos bipolares. Las simulaciones se realizan utilizando el software Sentaurus TCAD de Synopsys. Nos enfocamos en el modelo de deriva-difusión que todavía se utiliza ampliamente para las simulaciones de dispositivos de potencia. Mostramos que sin un contacto (metal)-semiconductor diseñado adecuadamente, la conservación de energía no se cumple cuando se consideran dispositivos bipolares. Esto no debería ser aceptado para estructuras de semiconductores de potencia, donde los problemas de diseño térmico son los más importantes. El modelo correcto de la interfaz se logra mediante una dopaje y malla adecuados de la región de contacto-semiconductor o aplicando un modelo dedicado. La discusión está ilustrada por los resultados de simulación obtenidos para la estructura p-n de GaN; además, también se presentan estructuras de Si y SiC. Los resultados también están respaldados por un análisis teórico de la física de la interfaz.