Este artículo destaca el estudio de la interacción foto-termoelástica en un medio semiconductor ilimitado que contiene una cavidad esférica. Este problema se resuelve utilizando el nuevo modelo hiperbólico de dos temperaturas. La superficie límite de la cavidad es libre de tracción y cargada térmicamente por un flujo de calor de borde de pulso de decaimiento exponencial. Además, la densidad de portadores se prescribe en la superficie interna de la cavidad en términos de la velocidad de recombinación. Las técnicas de transformadas de Laplace se utilizan para obtener las soluciones analíticas del problema en el dominio transformado mediante el método de los autovalores. Las inversiones de las transformadas de Laplace se han llevado a cabo numéricamente. Los resultados también muestran que los esquemas analíticos pueden superar el problema matemático para analizar este problema. Se realizan y se muestran gráficamente los resultados numéricos para un material semiconductor. Según los resultados numéricos, este nuevo modelo hiperbólico de dos temperaturas de termoelasticidad ofrece velocidad finita de propagación de la onda térmica y la onda mecánica.