Se discute el Cube Build Cube (BBCube) sin salientes utilizando la tecnología Wafer-on-Wafer (WOW) y Chip-on-Wafer (COW) para la Integración Tridimensional a Escala Tera (3DI). Los interconectores sin salientes entre wafers y entre chips y wafers son una alternativa de segunda generación al uso de micro salientes para las tecnologías WOW y COW. Las tecnologías WOW y COW para BBCube pueden ser utilizadas para 3DI homogéneas y heterogéneas, respectivamente. El ultra adelgazamiento de wafers hasta 4 um ofrece la ventaja de un factor de forma pequeño, no solo en términos del volumen total de CI 3D, sino también en la relación de aspecto de los Vías a través de silicio (TSVs). La tecnología de interconexión sin salientes puede aumentar el número de TSVs por chip debido al paso más fino de TSV y la menor impedancia de los interconectores de TSV sin salientes. Además, los interconectores de TSV de alta densidad con una longitud corta proporcionan la mayor disipación térmica de dispositivos de alta temperatura como CPUs y GPUs. Este documento describe la plataforma de proceso para las tecnologías BBCube WOW y COW y los DRAM de BBCube con alta velocidad y baja potencia de búfer IO al mejorar el paralelismo y aumentar el rendimiento mediante el uso de una arquitectura de bloque de memoria verticalmente reemplazable, y también presenta una comparación de las características térmicas en estructuras 3D construidas con micro salientes y BBCube.