Integración de PdPc tipo p y SnZnO tipo n en nanofibras híbridas utilizando un método químico simple para la mejora de la eficiencia del diodo Schottky
Autores: Al-Sayed, A.; Siddiq, Miad Ali; Elgazzar, Elsayed
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2025
Acceso abierto
Artículo científico
2025
Integración de PdPc tipo p y SnZnO tipo n en nanofibras híbridas utilizando un método químico simple para la mejora de la eficiencia del diodo Schottky
Categoría
Ciencias Naturales y Subdisciplinas
Subcategoría
Física
Palabras clave
Phtalocianina de paladio
óxido de estaño y zinc
Nanohíbrido
Absorción óptica
Diodos Schottky
Fotodetectividad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 17
Citaciones: Sin citaciones
Se prepararon ftalocianina de paladio (PdPc) y ftalocianina de paladio integrada con óxido de estaño y zinc (PdPc:SnZnO) utilizando un enfoque químico simple, y se identificaron sus propiedades estructurales y morfológicas mediante técnicas de difracción de rayos X, análisis de rayos X por dispersión de energía, microscopía electrónica de barrido y microscopía electrónica de transmisión. El nanohíbrido PdPc:SnZnO reveló una estructura policristalina que combina nanopartículas de óxido metálico tipo n SnZnO con moléculas orgánicas tipo p PdPc. La morfología de la superficie exhibió nanofibras arrugadas decoradas con pequeñas esferas y tenía una gran relación de aspecto. La película delgada mostró una absorción óptica significativa dentro de los espectros ultravioleta y visible, con brechas de banda medidas en 1.52 eV y 2.60 eV. Se investigaron las características electrónicas de los diodos Schottky Al/n-Si/PdPc/Ag y Al/n-Si/PdPc:SnZnO/Ag utilizando la dependencia corriente-voltaje tanto en condiciones de oscuridad como bajo iluminación. Los fotodiodos mostraron un comportamiento no ideal con un factor de idealidad mayor que la unidad. El diodo híbrido mostró una relación de rectificación considerablemente alta de 899, una barrera potencial bastante baja, una fotodetectividad específica sustancial y una eficiencia cuántica suficientemente alta, que se encontró influenciada por átomos dopantes y la arquitectura topológica única del nanohíbrido. Las mediciones de dependencia de capacitancia/conductancia-voltaje revelaron la influencia de señales de corriente alterna en centros atrapados en el estado de interfaz, lo que llevó a un aumento en la densidad de portadores de carga.
Descripción
Se prepararon ftalocianina de paladio (PdPc) y ftalocianina de paladio integrada con óxido de estaño y zinc (PdPc:SnZnO) utilizando un enfoque químico simple, y se identificaron sus propiedades estructurales y morfológicas mediante técnicas de difracción de rayos X, análisis de rayos X por dispersión de energía, microscopía electrónica de barrido y microscopía electrónica de transmisión. El nanohíbrido PdPc:SnZnO reveló una estructura policristalina que combina nanopartículas de óxido metálico tipo n SnZnO con moléculas orgánicas tipo p PdPc. La morfología de la superficie exhibió nanofibras arrugadas decoradas con pequeñas esferas y tenía una gran relación de aspecto. La película delgada mostró una absorción óptica significativa dentro de los espectros ultravioleta y visible, con brechas de banda medidas en 1.52 eV y 2.60 eV. Se investigaron las características electrónicas de los diodos Schottky Al/n-Si/PdPc/Ag y Al/n-Si/PdPc:SnZnO/Ag utilizando la dependencia corriente-voltaje tanto en condiciones de oscuridad como bajo iluminación. Los fotodiodos mostraron un comportamiento no ideal con un factor de idealidad mayor que la unidad. El diodo híbrido mostró una relación de rectificación considerablemente alta de 899, una barrera potencial bastante baja, una fotodetectividad específica sustancial y una eficiencia cuántica suficientemente alta, que se encontró influenciada por átomos dopantes y la arquitectura topológica única del nanohíbrido. Las mediciones de dependencia de capacitancia/conductancia-voltaje revelaron la influencia de señales de corriente alterna en centros atrapados en el estado de interfaz, lo que llevó a un aumento en la densidad de portadores de carga.