Este documento discute algunas de las opciones de diseño subyacentes al desarrollo de amplificadores de potencia Doherty integrados de nivel de vatio en las bandas K y Ka, centrándose en las tecnologías de semiconductores compuestos. Se analiza el aspecto clave de la combinación de potencia en el chip, presentando y comparando algunas de las posibles alternativas. Luego, se cuantifica el impacto en el ancho de banda alcanzable y el rendimiento de diferentes parámetros, adoptando un análisis aproximado, que se centra en el combinador de salida de Doherty y permite estimar el rendimiento no lineal del amplificador gracias a algunas suposiciones simplificadoras, sin necesidad de un modelo completo y no lineal de los dispositivos activos. Se comparan primero dos tecnologías de GaAs y GaN, considerando parámetros representativos de los procesos comerciales actualmente disponibles, y luego se analizan varias estrategias de combinación de potencia, adoptando la tecnología GaN, que actualmente es la única que permite alcanzar los niveles de potencia requeridos por las aplicaciones directamente en el chip. Por último, se dan algunas indicaciones sobre el impacto de los efectos parasitarios de salida de los transistores en el análisis presentado.