Insights físicos sobre la rectificación de THz en transistores metal-óxido-semiconductor
Autores: Palma, Fabrizio
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Insights físicos sobre la rectificación de THz en transistores metal-óxido-semiconductor
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Metal
Oxide
Semiconductor
Field-effect transistors
THz rectification
Self-mixing effectmetal
óxido
Semiconductor
Transistores de efecto de campo
Rectificación de THz
Efecto de auto-mezcla
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFETs) han demostrado ser dispositivos efectivos para rectificar la radiación electromagnética a frecuencias extremadamente altas, aproximadamente 1 THz.
Descripción
Los transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFETs) han demostrado ser dispositivos efectivos para rectificar la radiación electromagnética a frecuencias extremadamente altas, aproximadamente 1 THz.