Los diodos de barrera Schottky laterales AlGaN/GaN (SBD) con tres geometrías de ánodo diferentes (raya, circular y la convencional plana) y diferentes filas de trincheras de ánodo son fabricados y caracterizados eléctricamente para estudiar la influencia de las geometrías de trincheras de ánodo. Los SBD con trincheras de ánodo presentan una menor resistencia en estado encendido (R) que aquellos con la geometría de ánodo convencional plana. Se puede explicar que las trincheras de ánodo hacen que el metal Schottky entre en contacto directo con el 2DEG en la pared lateral de la interfaz AlGaN/GaN, eliminando la capa de barrera de AlGaN en el ánodo convencional plano. Además, la R de los SBD con trincheras circulares es menor que la de los SBD con trincheras de raya. Además, la R disminuye con el aumento de las filas de trincheras de ánodo, lo cual puede atribuirse al aumento del área de contacto entre el metal Schottky y el 2DEG. En cuanto a las características inversas, las trincheras de ánodo no conducen a una degradación del rendimiento. Los dispositivos fabricados presentan una corriente inversa baja (I, I < 1 A/mm), y la tensión de ruptura (V) permanece invariable con diferentes geometrías de ánodo.