La inestabilidad en los MOSFET de Pozo Cuántico de InGaAs con Pilas de Puerta de AlO de una Capa y AlO/HfO de Doble Capa es causada por la captura de carga bajo el estrés de temperatura de polarización positiva (PBT)
Autores: Kwon, Hyuk-Min; Kim, Dae-Hyun; Kim, Tae-Woo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
La inestabilidad en los MOSFET de Pozo Cuántico de InGaAs con Pilas de Puerta de AlO de una Capa y AlO/HfO de Doble Capa es causada por la captura de carga bajo el estrés de temperatura de polarización positiva (PBT)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistor
Características
Atrapamiento de carga
Degradación del voltaje umbral
Alta constante dieléctrica
Pilas de compuerta
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Se investigó la inestabilidad de las características del transistor causada por la captura de carga bajo el estrés de temperatura de polarización positiva (PBT) en transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico de InGaAs (MOSFET) con pilas de compuerta de AlO de una sola capa y de AlO/HfO de dos capas.
Descripción
Se investigó la inestabilidad de las características del transistor causada por la captura de carga bajo el estrés de temperatura de polarización positiva (PBT) en transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico de InGaAs (MOSFET) con pilas de compuerta de AlO de una sola capa y de AlO/HfO de dos capas.