Los diodos emisores de luz (LED) basados en GaN han demostrado operar eficazmente hasta dimensiones nanométricas, lo que permite escalar aún más la tecnología de visualización de LED basada en chips de micro a nanométrica. Esto plantea la pregunta de cuál es el límite de resolución del patrón de iluminación que se puede obtener. Mostramos dos enfoques diferentes para lograr matrices de nano-LED individualmente conmutables. Evaluamos ambos diseños en términos del tamaño del punto de campo cercano y la diafonía óptica entre píxeles vecinos mediante simulaciones de dominio de tiempo de diferencia finita (FDTD). Los resultados numéricos se compararon con los datos de rendimiento de una matriz de nano-LED fabricada. El resultado subraya la influencia de la geometría de la matriz de LED y los materiales utilizados en las líneas de contacto en el tamaño y forma final del punto de iluminación.