Incorporación de Magnesio en n-CdTe para Producir Capas de Ventana p-Tipo CdTe:Mg de Amplio Bandgap
Autores: Alam, Ashfaque E.; Ojo, Ayotunde A.; Jasinski, Jacek B.; Dharmadasa, Imyhamy M.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2018
Acceso abierto
Artículo científico
2018
Incorporación de Magnesio en n-CdTe para Producir Capas de Ventana p-Tipo CdTe:Mg de Amplio Bandgap
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Química
Palabras clave
Banda ancha
Magnesio
CdTe
Baño electrolítico
Banda de energía
Difracción de rayos X
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 14
Citaciones: Sin citaciones
Para desarrollar materiales de ventana tipo p de banda ancha para su uso en dispositivos de banda graduada, se exploraron los efectos del magnesio (Mg) en capas de n-CdTe. En este trabajo, se electroplataron capas de telururo de cadmio incorporado con magnesio (CdTe:Mg) utilizando un método de dos electrodos. Las capas se depositaron sobre sustratos de vidrio/FTO (óxido de estaño dopado con flúor), utilizando una solución acuosa que contenía Cd, Mg y dióxido de telurio (TeO) como precursores. Los estudios de difracción de rayos X (XRD) indican la reducción de la cristalinidad a medida que se aumenta la concentración de Mg en niveles de partes por millón (ppm). El material se convierte en una capa completamente amorfa a altas concentraciones de Mg en el baño electrolítico. Las mediciones fotoelectroquímicas (PEC) muestran la reducción gradual de n-CdTe convirtiéndose en capas de p-CdTe cuando se aumenta la concentración de Mg en el electrolito. Las mediciones de absorción óptica muestran la expansión del ancho de banda de energía desde el ancho de banda de CdTe (~1.48 eV) hasta ~2.85 eV. También se exploran y presentan otros resultados de caracterización (espectroscopía de rayos X dispersiva de energía (EDX), microscopía electrónica de barrido (SEM), espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS) y fotoluminiscencia (PL)) junto con los resultados experimentales anteriores.
Descripción
Para desarrollar materiales de ventana tipo p de banda ancha para su uso en dispositivos de banda graduada, se exploraron los efectos del magnesio (Mg) en capas de n-CdTe. En este trabajo, se electroplataron capas de telururo de cadmio incorporado con magnesio (CdTe:Mg) utilizando un método de dos electrodos. Las capas se depositaron sobre sustratos de vidrio/FTO (óxido de estaño dopado con flúor), utilizando una solución acuosa que contenía Cd, Mg y dióxido de telurio (TeO) como precursores. Los estudios de difracción de rayos X (XRD) indican la reducción de la cristalinidad a medida que se aumenta la concentración de Mg en niveles de partes por millón (ppm). El material se convierte en una capa completamente amorfa a altas concentraciones de Mg en el baño electrolítico. Las mediciones fotoelectroquímicas (PEC) muestran la reducción gradual de n-CdTe convirtiéndose en capas de p-CdTe cuando se aumenta la concentración de Mg en el electrolito. Las mediciones de absorción óptica muestran la expansión del ancho de banda de energía desde el ancho de banda de CdTe (~1.48 eV) hasta ~2.85 eV. También se exploran y presentan otros resultados de caracterización (espectroscopía de rayos X dispersiva de energía (EDX), microscopía electrónica de barrido (SEM), espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS) y fotoluminiscencia (PL)) junto con los resultados experimentales anteriores.