Implementación de computación de reservorio físico en un dispositivo de memristor basado en TaO/FTO
Autores: Ju, Dongyeol; Ahn, Junyoung; Ho, Jungwoo; Kim, Sungjun; Chung, Daewon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Implementación de computación de reservorio físico en un dispositivo de memristor basado en TaO/FTO
Categoría
Matemáticas
Subcategoría
Matemáticas generales
Palabras clave
Dispositivo de conmutación resistiva
Dispositivo apilado TiN/TaO/FTO
Computación neuromórfica
Fenómeno de conmutación resistiva
Características de reservorio de oxígeno
Cerebro biológico
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Como una de las soluciones para superar los problemas actuales de los sistemas informáticos, se fabricó un dispositivo de conmutación resistiva, el dispositivo apilado TiN/TaO/óxido de estaño dopado con fluoruro (FTO), para investigar su capacidad para encarnar la computación neuromórfica.
Descripción
Como una de las soluciones para superar los problemas actuales de los sistemas informáticos, se fabricó un dispositivo de conmutación resistiva, el dispositivo apilado TiN/TaO/óxido de estaño dopado con fluoruro (FTO), para investigar su capacidad para encarnar la computación neuromórfica.