A pesar de más de dos décadas de investigación intensiva, la implantación de iones en nitruros del grupo III aún no se ha establecido como una técnica rutinaria para el dopaje y el procesamiento de dispositivos. Los principales desafíos a superar son los complejos procesos de acumulación de defectos, así como las altas temperaturas de recocido post-implantación necesarias para una activación eficiente de los dopantes. Esta revisión resume el contenido de una charla plenaria, dada en la Conferencia de Física Nuclear Aplicada, Praga, 2021, y se centra en los resultados recientes, obtenidos en el Instituto Superior Técnico (Lisboa, Portugal), sobre la implantación de iones en estructuras de GaN no convencionales, como películas delgadas no polares y nanohilos. Curiosamente, la acumulación de daños está fuertemente influenciada por la orientación de la superficie de las muestras, así como por su dimensionalidad. En particular, los defectos de apilamiento basal son los defectos de implantación dominantes en las películas de GaN en plano c, mientras que los bucles de dislocación predominan en las muestras en plano a. La implantación de iones en nanohilos de GaN, por otro lado, causa una densidad de defectos extendidos mucho menor en comparación con las películas delgadas. Finalmente, se revisan brevemente los recientes avances en la activación de dopantes, centrándose en el dopaje óptico con europio y el dopaje eléctrico con magnesio.