Impactos de la dopaje LaOx en el rendimiento de los dispositivos RRAM transparentes ITO/AlO/ITO
Autores: Han, Guodu; Chen, Yanning; Liu, Hongxia; Wang, Dong; Qiao, Rundi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Impactos de la dopaje LaOx en el rendimiento de los dispositivos RRAM transparentes ITO/AlO/ITO
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transparent
ITO
LaAlO
RRAM
Dispositivos
Eléctricos
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 52
Citaciones: Sin citaciones
La estabilidad de corriente, la distribución de voltaje SET/RESET y la característica de retención de los dispositivos RRAM de estructura ITO/LaAlO/ITO han mejorado significativamente en comparación con los dispositivos de estructura ITO/AlO/ITO.
Descripción
La estabilidad de corriente, la distribución de voltaje SET/RESET y la característica de retención de los dispositivos RRAM de estructura ITO/LaAlO/ITO han mejorado significativamente en comparación con los dispositivos de estructura ITO/AlO/ITO.