Realizamos oxidación en seco en carburo de silicio de tipo n (SiC), seguido de recocido en NO diluido, y posteriormente fabricamos estructuras MOS de tipo n. El estudio tuvo como objetivo investigar el impacto de diferentes tiempos de recocido en las cargas de trampa cerca de la interfaz SiC/SiO y la fiabilidad del dieléctrico de compuerta. Las mediciones de capacitancia-voltaje (C-V) y corriente-voltaje (I-V) del MOS de tipo n revelaron que aumentar el tiempo de recocido con NO reduce efectivamente la densidad de trampas de electrones cerca de la interfaz SiC/SiO, mitiga la deriva en el voltaje de banda plana y mejora la resistencia del campo de ruptura del óxido. Sin embargo, un tiempo de recocido excesivo conduce a un aumento en la deriva del voltaje de banda plana del MOS, lo que resulta en una ruptura prematura del óxido. Utilizando las condiciones de recocido optimizadas, fabricamos LDMOSFET de tipo n y obtuvimos el voltaje umbral (Vth), la movilidad de efecto de campo () y la resistencia específica de encendido (Ron-sp) a partir de las mediciones de la curva de transferencia (Id-Vg) y la curva de salida (Id-Vd). Los hallazgos de la investigación proporcionan información valiosa para el proceso de oxidación de compuerta de SiC.