En este trabajo, investigamos el efecto del diseño de la compuerta lateral en el rendimiento de transistores de unión lateral doble de tipo p (DGJLTs) con una brecha de compuerta de aire. El impacto de la longitud de la compuerta lateral, que modifica la longitud real del canal del dispositivo y la variación de la brecha de compuerta hasta 50 nm, que se han encontrado como los factores más influyentes en el rendimiento del dispositivo, han sido investigados de manera exhaustiva. Las características se demuestran y se comparan con DGJLTs nominales a través de simulación de diseño asistido por computadora en tecnología tridimensional (TCAD). A una geometría de canal constante (espesor y ancho), cuando la longitud de la compuerta lateral disminuye, los resultados muestran características de corriente de drenaje de banda plana constante mientras que la corriente de estado OFF () aumenta significativamente. Por otro lado, al disminuir la brecha de aire, la corriente de umbral subumbra disminuye considerablemente mientras que la corriente de banda plana es constante. Además, a cierta brecha de compuerta, las compuertas pierden control sobre el canal y el dispositivo simplemente funciona como un resistor. Se analizan el componente de campo eléctrico, la densidad de portadores, las energías de borde de banda y la tasa de recombinación de los portadores dentro del canal en regímenes de depleción y acumulación para interpretar la variación de las características de salida.