En este estudio, se investigó el impacto del efecto de capacitancia negativa (NC) en las variaciones inducidas por el proceso, como la variación de la función de trabajo (WFV), la fluctuación de dopantes aleatorios (RDF) y la rugosidad del borde de la línea (LER), y se comparó con las del FET de nanocable sin unión de referencia (JL-NWFET) tanto en modos lineales (V = 0.05 V) como de saturación (V = 0.5 V). Se utilizaron Sentaurus TCAD y MATLAB para la simulación del JL-NWFET de referencia y del JL-NWFET de capacitancia negativa (NC-JL-NWFET). Debido al efecto de NC, el NC-JL-NWFET mostró menos variación en términos de rendimiento del dispositivo, como [V], [SS], [I/I], [V]/u[V], [SS]/u[SS] y [I/I]/u[I/I], y un rendimiento mejorado del dispositivo, lo que implica que el efecto de NC puede controlar con éxito la degradación inducida por la variación.