Los efectos de la tensión residual en una compuerta de tungsteno en un canal de polisilicio en memorias flash NAND 3D escaladas fueron investigados utilizando una simulación de diseño asistido por ordenador. También se analizaron las cadenas NAND con respecto a la distancia desde la ranura de tungsteno. La reducción del grosor del espaciador y el diámetro del agujero indujeron una tensión compresiva en el canal de polisilicio. Además, la tensión residual del canal de polisilicio en la cadena cerca de la ranura de tungsteno tenía una mayor tensión compresiva que la cadena más lejana. El aumento de la tensión compresiva en el canal de polisilicio degradó la corriente de la línea de bits (I) debido a la deterioración de la movilidad electrónica inducida por el estrés. Además, se produjo un desplazamiento de voltaje de umbral (deltaV) en dirección negativa debido a la disminución de la banda de conducción.