Impacto de la aleación/dopaje de aluminio en la optimización del rendimiento de RRAM basado en HfO
Autores: He, Huikai; Yuan, Xiaobo; Wu, Wenhao; Lee, Choonghyun; Zhao, Yi; Liu, Zongfang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Impacto de la aleación/dopaje de aluminio en la optimización del rendimiento de RRAM basado en HfO
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Aleación de aluminio
Basado en HfO
Memoria de acceso aleatorio resistiva
Retención
Vacancia de oxígeno
Dopaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 45
Citaciones: Sin citaciones
La aleación/dopaje de Al en la memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) basada en HfO ha demostrado ser un método efectivo para mejorar la retención del estado de baja resistencia (LRS). Sin embargo, aún es necesario incluir una comprensión detallada de la concentración de Al en la migración de vacantes de oxígeno y los comportamientos de conmutación resistiva (RS). Aquí se aborda el impacto de la concentración de Al en las propiedades de RS de los dispositivos RRAM TiN/Ti/HfAlO/TiN.
Descripción
La aleación/dopaje de Al en la memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) basada en HfO ha demostrado ser un método efectivo para mejorar la retención del estado de baja resistencia (LRS). Sin embargo, aún es necesario incluir una comprensión detallada de la concentración de Al en la migración de vacantes de oxígeno y los comportamientos de conmutación resistiva (RS). Aquí se aborda el impacto de la concentración de Al en las propiedades de RS de los dispositivos RRAM TiN/Ti/HfAlO/TiN.