El impacto de la conductancia de salida en la frecuencia de corte de la ganancia de corriente en transistores de alta movilidad electrónica de pozo cuántico InGaAs/InAlAs en sustrato InP
Autores: Kim, Hyo-Jin; Lee, In-Geun; Jo, Hyeon-Bhin; Rho, Tae-Beom; Tsutsumi, Takuya; Sugiyama, Hiroki; Matsuzaki, Hideaki; Lee, Jae-Hak; Kim, Tae-Woo; Kim, Dae-Hyun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
El impacto de la conductancia de salida en la frecuencia de corte de la ganancia de corriente en transistores de alta movilidad electrónica de pozo cuántico InGaAs/InAlAs en sustrato InP
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Estudio
Impacto
Conductancia de salida intrínseca
Frecuencia de corte de ganancia de corriente de cortocircuito
Transistor de alta movilidad de electrones InGaAs/InAlAs de pozo cuántico
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 47
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, investigamos el impacto de la conductancia de salida intrínseca () en la frecuencia de corte de ganancia de corriente de cortocircuito () en transistores de alta movilidad de electrones de pozo cuántico (QW) de InGaAs/InAlAs. En su núcleo, intentamos extraer valores de utilizando un modelo de señal pequeña simplificado (SSM) de los HEMTs y derivar una fórmula analítica para en términos de parámetros del modelo extrínseco que están relacionados con parámetros del modelo intrínseco de un SSM general. Proyectamos cómo fue influenciado por en los HEMTs, enfatizando que la mejora en la integridad electrostática también sería de importancia crítica para beneficiarse completamente de la reducción de escala .
Descripción
En este estudio, investigamos el impacto de la conductancia de salida intrínseca () en la frecuencia de corte de ganancia de corriente de cortocircuito () en transistores de alta movilidad de electrones de pozo cuántico (QW) de InGaAs/InAlAs. En su núcleo, intentamos extraer valores de utilizando un modelo de señal pequeña simplificado (SSM) de los HEMTs y derivar una fórmula analítica para en términos de parámetros del modelo extrínseco que están relacionados con parámetros del modelo intrínseco de un SSM general. Proyectamos cómo fue influenciado por en los HEMTs, enfatizando que la mejora en la integridad electrostática también sería de importancia crítica para beneficiarse completamente de la reducción de escala .