El uso ubicuo de datos críticos y privados en formato electrónico requiere sistemas integrados confiables y seguros para dispositivos IoT. En este contexto, las RRAMs (Memorias de Acceso Aleatorio Resistivas) surgen como una alternativa prometedora para reemplazar las tecnologías de memoria actuales. Sin embargo, su idoneidad para este tipo de aplicación, donde la integridad de los datos es crucial, aún está en estudio. Entre los diferentes tipos de ataques para recuperar información de datos secretos, el ataque láser es uno de los más comunes debido a su simplicidad. Algunos trabajos preliminares ya han abordado la influencia de las pruebas láser en dispositivos RRAM. Sin embargo, los resultados no son concluyentes ya que se han reportado diferentes respuestas dependiendo del circuito bajo prueba y las características de la prueba. En este artículo, hemos realizado pruebas láser en dispositivos RRAM individuales. Para el conjunto de experimentos realizados, los dispositivos no mostraron comportamientos defectuosos. Estos resultados contribuyen a la caracterización de las RRAMs y, junto con el resto de trabajos relacionados, se espera que allanen el camino para el desarrollo de contramedidas adecuadas contra ataques externos.