Existe un equilibrio entre la ventana de memoria y la resistencia para las RRAM de óxido de metal de transición. En este trabajo, demostramos que los dispositivos RRAM metal-aislante-semiconductor basados en HfO/Ge poseen tanto una ventana de memoria más grande como una resistencia más larga en comparación con los dispositivos RRAM metal-aislante-metal (MIM). Bajo ciclos de corriente continua, los dispositivos HfO/Ge presentan una ventana de memoria 100 veces más grande en comparación con los dispositivos HfO MIM, y se logró un barrido de corriente continua de hasta 20,000 ciclos con los dispositivos. Los dispositivos también logran una baja potencia estática de hasta 1 nW como resistencias de pull-up/pull-down de FPGA. Por lo tanto, los dispositivos HfO/Ge actúan como candidatos prometedores para diversas aplicaciones como FPGA o computación en memoria, en las que se requiere tanto una alta relación ON/OFF como una resistencia decente.