La orientación óptica y el efecto Hall inverso de espín son herramientas efectivas para investigar la difusión dependiente del espín
Autores: Finazzi, Marco; Bottegoni, Federico; Zucchetti, Carlo; Bollani, Monica; Ballabio, Andrea; Frigerio, Jacopo; Rortais, Fabien; Vergnaud, Céline; Marty, Alain; Jamet, Matthieu; Isella, Giovanni; Ciccacci, Franco
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2016
Acceso abierto
Artículo científico
2016
La orientación óptica y el efecto Hall inverso de espín son herramientas efectivas para investigar la difusión dependiente del espín
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Orientación
óptico
Giro
Dispersión
Efecto Hall de espín
Transporte
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo abordamos la orientación óptica, un proceso que consiste en la excitación de electrones polarizados por espín a través de la brecha de un semiconductor. Mostramos que la combinación de la orientación óptica con el esparcimiento dependiente del espín que conduce al efecto Hall de espín inverso, es decir, a la conversión de una corriente de espín en una señal eléctrica, representa una herramienta poderosa para generar y detectar corrientes de espín en sólidos. Consideramos algunos ejemplos donde estos dos fenómenos juntos permiten abordar las propiedades de transporte dependientes del espín a través de muestras homogéneas o uniones Schottky metal/semiconductor.
Descripción
En este trabajo abordamos la orientación óptica, un proceso que consiste en la excitación de electrones polarizados por espín a través de la brecha de un semiconductor. Mostramos que la combinación de la orientación óptica con el esparcimiento dependiente del espín que conduce al efecto Hall de espín inverso, es decir, a la conversión de una corriente de espín en una señal eléctrica, representa una herramienta poderosa para generar y detectar corrientes de espín en sólidos. Consideramos algunos ejemplos donde estos dos fenómenos juntos permiten abordar las propiedades de transporte dependientes del espín a través de muestras homogéneas o uniones Schottky metal/semiconductor.