Se presenta un conjunto de antenas de parche de haz continuamente orientable que emplea un desfasador de fase clásico basado en GaN HEMTs. Aquí, los GaN HEMTs se utilizan como diodos varactores para lograr la finalidad de ajuste. Al controlar el sesgo de CC de estos varactores de -2 V a 2 V, la antena de conjunto propuesta puede proporcionar una orientación de haz continua de 0 grados a +25 grados en el plano azimutal a 41.20 GHz, logrando un bajo nivel de lóbulo lateral y buenas actuaciones de coincidencia de impedancia. El uso de GaN HEMTs como varactores para lograr la capacidad de orientación del haz nunca se ha intentado antes según nuestro conocimiento. Los resultados de las mediciones concuerdan bien con los resultados de la simulación y validan la efectividad de la orientación del haz propuesta basada en la tecnología GaN. Esta antena de conjunto propuesta encontrará numerosas aplicaciones dentro de los futuros sistemas de comunicaciones inalámbricas, especialmente para aplicaciones de ondas milimétricas.