Los transistores de película delgada (TFTs) de SnO procesados por sol-gel se fabricaron en sustratos de SiO/p Si. La capa de canal activa de SnO fue depositada mediante el método de recubrimiento por giro de sol-gel. La concentración del precursor influyó en el grosor de la película y la rugosidad de la superficie. A medida que se aumentaba la concentración del precursor, las películas depositadas eran más gruesas y más lisas. El rendimiento del dispositivo fue influenciado por el grosor y la rugosidad de la capa de canal activa de SnO. La disminución de la concentración del precursor resultó en un dispositivo fabricado con una menor movilidad de campo de efecto, una mayor pendiente de subumbral y un aumento del voltaje umbral, originado por una menor concentración de portadores libres y un aumento en los sitios de trampas. Los TFTs de SnO fabricados, con un precursor optimizado de 0.030 M, tuvieron una movilidad de campo de efecto de 9.38 cm/Vs, una pendiente de subumbral de 1.99, un valor de ~4.0 x 10, y mostraron un modo de operación de mejora y un voltaje umbral positivo, igual a 9.83 V.