Observación de gran desplazamiento del umbral de voltaje inducido por voltaje preaplicado a la compuerta de dieléctrico de óxido de silicio en transistores orgánicos de efecto de campo
Autores: Guo, Yifu; Deng, Junyang; Niu, Jiebin; Duan, Chunhui; Long, Shibing; Li, Mengmeng; Li, Ling
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Observación de gran desplazamiento del umbral de voltaje inducido por voltaje preaplicado a la compuerta de dieléctrico de óxido de silicio en transistores orgánicos de efecto de campo
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Materiales semiconductores orgánicos
OFETs
Parámetros del dispositivo
Voltaje umbral
Voltaje de compuerta
Atrapamiento de carga
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de efecto de campo basados en materiales semiconductores orgánicos (OFETs) tienen ventajas únicas de flexibilidad mecánica intrínseca, un proceso de preparación simple, bajo costo de fabricación y preparación en áreas extensas.
Descripción
Los transistores de efecto de campo basados en materiales semiconductores orgánicos (OFETs) tienen ventajas únicas de flexibilidad mecánica intrínseca, un proceso de preparación simple, bajo costo de fabricación y preparación en áreas extensas.