Proceso de grabado selectivo de baja daño basado en flúor para la fabricación de HFET de GaN/AlGaN/GaN de modo E p
Autores: Kim, Hyeon-Ji; Yim, Jun-Hyeok; Kim, Hyungtak; Cha, Ho-Young
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Proceso de grabado selectivo de baja daño basado en flúor para la fabricación de HFET de GaN/AlGaN/GaN de modo E p
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Optimización
Proceso de grabado selectivo de baja daño
Grabado iónico reactivo por plasma acoplado inductivamente
Mezcla de gases a base de flúor
Transistores de efecto de campo de heterounión p-GaN con compuerta AlGaN/GaN en modo de mejora
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 40
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, realizamos una optimización de un proceso de grabado selectivo de baja daño utilizando grabado por iones reactivos con plasma acoplado inductivamente (ICP-RIE) con una mezcla de gas a base de flúor.
Descripción
En este estudio, realizamos una optimización de un proceso de grabado selectivo de baja daño utilizando grabado por iones reactivos con plasma acoplado inductivamente (ICP-RIE) con una mezcla de gas a base de flúor.