En este estudio, se utilizó una capa de barrera posterior de AlGaN de 50 nm en un transistor de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN entre el canal de gas de electrones bidimensional y las capas de amortiguación dopadas con Fe/C. Esta capa de barrera posterior puede reducir la capa del canal. La capa de barrera posterior se ve afectada por portadores dopados en la capa de amortiguación y la banda de energía de conducción entre el canal y las capas de amortiguación. La relación / del dispositivo con capa de barrera posterior fue de 4,66 x 10 y la relación para el dispositivo sin capa de barrera posterior fue de 1,91 x 10. Se obtuvieron corrientes de fuga más bajas en el dispositivo con capa de barrera posterior debido a la mayor banda de energía de conducción. El dispositivo de longitud de compuerta de 0,25 m con la capa de barrera posterior exhibió una alta frecuencia de corte de ganancia de corriente de 24,4 GHz y una frecuencia de corte de ganancia de potencia de 73 GHz.