Gallium nitride normally off MOSFET utilizando estructura de doble puerta de metal para mejorar la capacidad de corriente
Autores: Yoon, Young Jun; Lee, Jae Sang; Kim, Dong-Seok; Lee, Jung-Hee; Kang, In Man
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Gallium nitride normally off MOSFET utilizando estructura de doble puerta de metal para mejorar la capacidad de corriente
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
MOSFET
Puerta de metal dual
Capacidad de corriente
Estructura DMG
Eficiencia de transporte de portadores
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
Se propuso y fabricó un transistor de efecto de campo de óxido metálico de nitruro de galio (GaN) normalmente apagado con una estructura de puerta metálica dual (DMG) para mejorar la capacidad de corriente.
Descripción
Se propuso y fabricó un transistor de efecto de campo de óxido metálico de nitruro de galio (GaN) normalmente apagado con una estructura de puerta metálica dual (DMG) para mejorar la capacidad de corriente.