Control de la frontera entre la modulación gradual y abrupta de la resistencia en los memristores de óxido de indio-galio-zinc amorfo modulado por túnel de barrera Schottky para computación neuromórfica
Autores: Jang, Jun Tae; Ahn, Geumho; Choi, Sung-Jin; Kim, Dong Myong; Kim, Dae Hwan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Control de la frontera entre la modulación gradual y abrupta de la resistencia en los memristores de óxido de indio-galio-zinc amorfo modulado por túnel de barrera Schottky para computación neuromórfica
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transporte
Sináptico
De dos terminales
óxido de indio-galio-zinc amorfo
Barrera de Schottky
Conmutación resistiva
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
Las características de transporte y sinápticas de los memristores de dos terminales Au/Ti/óxido de indio-galio-cinc amorfo (a-IGZO)/SiO delgado/p-Si basados en la modulación de la barrera de Schottky (SB) entre la capa de óxido de conmutación resistiva (RS) y los electrodos de metal son investigadas mediante la modulación del contenido de oxígeno en la película de a-IGZO con énfasis en el mecanismo que determina el límite de la RS abrupta/gradual.
Descripción
Las características de transporte y sinápticas de los memristores de dos terminales Au/Ti/óxido de indio-galio-cinc amorfo (a-IGZO)/SiO delgado/p-Si basados en la modulación de la barrera de Schottky (SB) entre la capa de óxido de conmutación resistiva (RS) y los electrodos de metal son investigadas mediante la modulación del contenido de oxígeno en la película de a-IGZO con énfasis en el mecanismo que determina el límite de la RS abrupta/gradual.