Front-end híbrido de radiofrecuencia de próxima generación con circuito de gestión de suministro de MoS-FET, amplificadores de CNT-FET y antenas de película delgada de grafeno
Autores: Crippa, Paolo; Biagetti, Giorgio; Minelli, Lorenzo; Turchetti, Claudio; Aldrigo, Martino; Dragoman, Mircea; Mencarelli, Davide; Pierantoni, Luca
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Front-end híbrido de radiofrecuencia de próxima generación con circuito de gestión de suministro de MoS-FET, amplificadores de CNT-FET y antenas de película delgada de grafeno
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistor
Electrónica
Nanotubo de carbono
Disulfuro de molibdeno
Circuitos integrados
Frecuencia de radio
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 40
Citaciones: Sin citaciones
Los materiales unidimensionales (1D) y bidimensionales (2D) representan las tecnologías emergentes para la electrónica de transistores debido a sus atractivas propiedades eléctricas (alta ganancia de potencia, alta frecuencia de corte, baja disipación de energía) y mecánicas.
Descripción
Los materiales unidimensionales (1D) y bidimensionales (2D) representan las tecnologías emergentes para la electrónica de transistores debido a sus atractivas propiedades eléctricas (alta ganancia de potencia, alta frecuencia de corte, baja disipación de energía) y mecánicas.