Se propone en este documento un método de endurecimiento contra radiaciones a nivel de celda (RHBD) basado en procesos comerciales de transitorios de un solo evento (SET) y de alteración de un solo evento (SEU), en el cual se diseñan nuevos flip-flops D tipo (DFFs) resistentes a radiaciones. Se desarrolla un circuito integrado específico de aplicación (ASIC) de nivel de un millón de compuertas basado en DFFs, y se realizan pruebas de radiación con iones pesados SEU y de interrupción funcional de un solo evento (SEFI). Los resultados experimentales muestran que la nueva capacidad de SEU de los DFF es incrementada en 63 veces en comparación con los DFF diseñados por DICE, y es tres órdenes de magnitud mayor que los DFF diseñados de forma redundante. La capacidad de SEFI del ASIC diseñado con los nuevos DFF es 2.6 veces mayor que el circuito endurecido por el diseño TMR.