Un dispositivo RRAM basado en óxido de níquel flexible preparado utilizando el método de combustión de soluciones
Autores: Huang, Jingjing; Wang, Hanbin; Ma, Guokun; Wan, Houzhao; Rao, Yiheng; Shen, Liangping; Wang, Hao
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Un dispositivo RRAM basado en óxido de níquel flexible preparado utilizando el método de combustión de soluciones
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
óxido metálico
NiO
Conmutación resistiva
RRAM
Sustratos flexibles
Mecanismos de conducción
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Los materiales binarios de óxido metálico, como el óxido de níquel, se utilizan ampliamente en dispositivos de memoria variable resistiva flexible debido a ventajas como su composición material fácilmente controlable, composición estructural simple y buena compatibilidad entre los procesos de fabricación y los procesos complementarios de óxido metálico.
Descripción
Los materiales binarios de óxido metálico, como el óxido de níquel, se utilizan ampliamente en dispositivos de memoria variable resistiva flexible debido a ventajas como su composición material fácilmente controlable, composición estructural simple y buena compatibilidad entre los procesos de fabricación y los procesos complementarios de óxido metálico.