La estructura de flash NAND con puerta de respaldo en todas partes y puerta trasera para excelentes características de confiabilidad en la operación del programa
Autores: Sim, Jae-Min; Kim, Bong-Seok; Nam, In-Ho; Song, Yun-Heub
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
La estructura de flash NAND con puerta de respaldo en todas partes y puerta trasera para excelentes características de confiabilidad en la operación del programa
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Puerta
Puerta trasera
Tecnología de memoria flash 3D NAND
Operación de autoimpulso
Características de confiabilidad
Estructura de apilamiento alto
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 49
Citaciones: Sin citaciones
Se propuso una estructura de puerta alrededor con puerta trasera (GAAB) para la tecnología de memoria Flash NAND 3D. Demostramos las excelentes características de la estructura NAND GAAB, especialmente en la operación de autoimpulso. El potencial del canal de GAAB muestra una pendiente gradual en comparación con una estructura NAND GAA convencional, lo que conduce a excelentes características de confiabilidad en la perturbación del programa, la perturbación del paso y el problema de desgaste del óxido. Como resultado, se espera que la estructura GAAB sea apropiada para una estructura de apilamiento alto de futuras estructuras de memoria.
Descripción
Se propuso una estructura de puerta alrededor con puerta trasera (GAAB) para la tecnología de memoria Flash NAND 3D. Demostramos las excelentes características de la estructura NAND GAAB, especialmente en la operación de autoimpulso. El potencial del canal de GAAB muestra una pendiente gradual en comparación con una estructura NAND GAA convencional, lo que conduce a excelentes características de confiabilidad en la perturbación del programa, la perturbación del paso y el problema de desgaste del óxido. Como resultado, se espera que la estructura GAAB sea apropiada para una estructura de apilamiento alto de futuras estructuras de memoria.