El relleno flotante (FF) en un canal de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) mejora el rendimiento de borrado de la memoria flash NAND de canal vertical con una estructura Cell-on-Peri (COP)
Autores: Choi, Seonjun; Choi, Changhwan; Jeong, Jae Kyeong; Kang, Myounggon; Song, Yun-heub
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
El relleno flotante (FF) en un canal de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) mejora el rendimiento de borrado de la memoria flash NAND de canal vertical con una estructura Cell-on-Peri (COP)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Relleno flotante
Canal IGZO
Velocidad de borrado
Corriente de fuga
Compuerta GSL
Estructura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, desarrollamos un V-NAND con una estructura de relleno flotante (FF) de tipo P de IGZO mejorada (IP) basada en un canal IGZO verificado en estudios anteriores y demostramos que tiene una velocidad de borrado muy rápida a través de la simulación del dispositivo.
Descripción
En este estudio, desarrollamos un V-NAND con una estructura de relleno flotante (FF) de tipo P de IGZO mejorada (IP) basada en un canal IGZO verificado en estudios anteriores y demostramos que tiene una velocidad de borrado muy rápida a través de la simulación del dispositivo.