El descubrimiento de la ferroelectricidad en la película delgada de HfO, que es compatible con el proceso CMOS, ha revivido el interés en los dispositivos de memoria ferroeléctrica. HfO ha demostrado exhibir una alta ferroelectricidad en un grosor de unos pocos nanómetros, y los estudios han progresado rápidamente en la última década. La ferroelectricidad puede ser inducida en HfO mediante varios métodos de deposición y procesos de tratamiento térmico. Al combinar materiales ferroeléctricos con transistores de efecto de campo, se pueden implementar dispositivos que combinan funciones lógicas y de memoria. Los dispositivos basados en HfO ferroeléctrico muestran un alto potencial, pero hay algunos desafíos a superar en resistencia y caracterización. En este documento, discutimos la fabricación y características de la película de HfO ferroeléctrica y diversas aplicaciones, incluyendo capacitancia negativa (NC), memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FeRAM), unión de túnel ferroeléctrico (FTJ) y transistor de efecto de campo ferroeléctrico (FeFET).