El diamante es reconocido como el semiconductor definitivo gracias a sus excepcionales propiedades físicas, que incluyen una dureza inigualable, resistencia al desgaste excepcional, características mecánicas y tribológicas superiores, y alta resistencia a la fractura. Los transistores de efecto de campo de compuerta de solución de diamante (D-SGFETs) aprovechan estas ventajas, junto con su destacado rendimiento de alta potencia y alta frecuencia, excelente conductividad térmica, amplia banda prohibida, alta movilidad de portadores y rápida velocidad de saturación. Estas características hacen que los D-SGFETs sean altamente prometedores para aplicaciones de detección biomédica rápidas y precisas. Este documento proporciona una revisión exhaustiva de las técnicas de fabricación para los SGFETs de diamante, que abarcan la síntesis de películas de diamante, la formación de capas de conducción superficial, la fabricación de la fuente/drenaje y el empaquetado de FET. Además, el estudio profundiza en la funcionalización superficial de los SGFETs de diamante y sus diversas aplicaciones en la detección biomédica. Por último, el documento analiza las perspectivas futuras de los SGFETs de diamante en el avance de las tecnologías de detección biomédica.