En este documento, se presenta un nuevo método para la extracción de parámetros del diodo de barrera Schottky (SBD) con el fin de eliminar la influencia de parámetros parásitos en las características de capacitancia-voltaje (C-V) intrínsecas de los diodos Schottky a altas frecuencias. El método se divide en la desincrustación y la extracción de parámetros, que incluye seis configuraciones auxiliares y se denomina Método de Extracción de Parámetros de Dos Pasos Seis Configuraciones (TSPEM). En comparación con el método tradicional de extracción de capacitancia de unión, este método puede extraer el valor de la capacitancia de unión a frecuencias más altas con mayor precisión. Al mismo tiempo, en comparación con otros métodos de desincrustación, este método muestra un mejor rendimiento en la desincrustación de las contribuciones de las estructuras parásitas de las mediciones de líneas de transmisión. Las capacitancias de unión intrínsecas obtenidas por este método y el modelo electromagnético tridimensional (3-D) se combinan para formar un modelo de simulación de diodo, que caracteriza con precisión las características de capacitancia del SBD. Se verificó con un multiplicador de frecuencia doble de 200 GHz, y los resultados de simulación y los resultados de medición mostraron una buena consistencia.