En este trabajo, se fabricaron y caracterizaron MOSFET de trinchera GaN completamente verticales para evaluar sus rendimientos eléctricos. Los transistores muestran un comportamiento normalmente apagado con una alta relación I/I (~10) y una corriente de fuga de compuerta significativamente pequeña (10 A/mm). Gracias a un método mejorado de partición de resistencias, las resistencias del fondo de la trinchera y del canal de la trinchera fueron extraídas con precisión teniendo en cuenta diferentes condiciones de carga. Esta metodología permitió una estimación de la movilidad efectiva del canal y del fondo de 11.1 cm/V·s y 15.1 cm/V·s, respectivamente.