En este artículo, se investigó la dependencia de la temperatura de la sección transversal de errores únicos (SEU) en la memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) de 28 nm integrada en el Sistema en Paquete (SiP). Se utilizó un haz de neutrones atmosféricos con un rango de energía de MeV~GeV. La sección transversal de SEU aumentó un 39.8% cuando la temperatura aumentó de 296 K a 382 K. Además, los resultados de la simulación del Diseño Asistido por Computadora Tecnológica (TCAD) muestran que la temperatura tiene un impacto débil en la corriente de pulso pico, que es principalmente causado por el cambio del efecto de amplificación bipolar con la temperatura. A medida que la temperatura aumenta, la carga crítica del dispositivo disminuye aproximadamente un 4.8%. El impacto de la temperatura en la sección transversal de SEU está determinado de manera competitiva por la corriente de pulso pico y la carga crítica. Se espera que el impacto de la temperatura en la carga crítica se vuelva más severo a medida que el tamaño de la característica avance aún más.