Para servicios de comunicación de alta velocidad como la tecnología 5G, el uso de componentes de ondas milimétricas (mmWave) aumenta sustancialmente en aplicaciones móviles. El interconector basado en una guía de onda integrada en sustrato (SIW) es una solución eficiente para conectar estos dispositivos. Sin embargo, las características de SIW en el rango de frecuencia mmWave no están suficientemente presentadas desde el punto de vista práctico. En este documento, se presenta la caracterización experimental de SIWs de mmWave en placas de circuito impreso flexibles (FPCBs) y sus resultados de simulación. Se propone un método práctico que utiliza una transición de ranura equilibrada/única para la transición de microstrip a SIW. Utilizando una simulación de onda completa y un algoritmo genético, la técnica de ranura propuesta se optimiza. Se demuestra experimentalmente que la frecuencia de corte afecta de manera diferente a la banda de operación del SIW. Las pérdidas por unidad de longitud de los SIWs de modo completo y de modo medio se obtienen como 0.0375 dB/mm y 0.0609 dB/mm, respectivamente. Utilizando las mediciones, se analiza cuantitativamente el efecto del tipo de SIW en la pérdida de transmisión, y la pérdida se incrementa hasta un 62.4% a 39 GHz.