Mecanismos básicos de ocurrencia de eventos únicos en un semiconductor de carburo de silicio bajo irradiación de neutrones atmosféricos terrestres
Autores: Munteanu, Daniela; Autran, Jean-Luc
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Mecanismos básicos de ocurrencia de eventos únicos en un semiconductor de carburo de silicio bajo irradiación de neutrones atmosféricos terrestres
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Simulación numérica
Mecanismos físicos
Carburo de silicio
Radiación natural
Irradiación neutronica
Pares electrón-hueco
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
Este trabajo de simulación numérica investiga los mecanismos físicos básicos de eventos individuales inducidos en una capa objetivo compuesta de carburo de silicio expuesta a radiación natural con neutrones atmosféricos a nivel terrestre. Utilizando cálculos directos y extensas simulaciones de Geant4, este estudio proporciona una investigación precisa en términos de procesos nucleares, productos de retroceso, producción de iones secundarios y distribuciones de energía de fragmentos. Además, el análisis exhaustivo incluye una comparación entre las respuestas a la irradiación de neutrones de carburo de silicio, carbono (diamante) y blancos de silicio. Finalmente, se discuten en detalle las consecuencias de estas interacciones en términos de generación de pares electrón-hueco, que es un mecanismo fundamental subyacente a los efectos transitorios de eventos individuales a nivel de dispositivo o circuito.
Descripción
Este trabajo de simulación numérica investiga los mecanismos físicos básicos de eventos individuales inducidos en una capa objetivo compuesta de carburo de silicio expuesta a radiación natural con neutrones atmosféricos a nivel terrestre. Utilizando cálculos directos y extensas simulaciones de Geant4, este estudio proporciona una investigación precisa en términos de procesos nucleares, productos de retroceso, producción de iones secundarios y distribuciones de energía de fragmentos. Además, el análisis exhaustivo incluye una comparación entre las respuestas a la irradiación de neutrones de carburo de silicio, carbono (diamante) y blancos de silicio. Finalmente, se discuten en detalle las consecuencias de estas interacciones en términos de generación de pares electrón-hueco, que es un mecanismo fundamental subyacente a los efectos transitorios de eventos individuales a nivel de dispositivo o circuito.