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Mecanismos básicos de ocurrencia de eventos únicos en un semiconductor de carburo de silicio bajo irradiación de neutrones atmosféricos terrestres

Autores: Munteanu, Daniela; Autran, Jean-Luc

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2023

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Acceso abierto

Artículo científico
2023

Mecanismos básicos de ocurrencia de eventos únicos en un semiconductor de carburo de silicio bajo irradiación de neutrones atmosféricos terrestres


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Simulación numérica
Mecanismos físicos
Carburo de silicio
Radiación natural
Irradiación neutronica
Pares electrón-hueco

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 35

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este trabajo de simulación numérica investiga los mecanismos físicos básicos de eventos individuales inducidos en una capa objetivo compuesta de carburo de silicio expuesta a radiación natural con neutrones atmosféricos a nivel terrestre. Utilizando cálculos directos y extensas simulaciones de Geant4, este estudio proporciona una investigación precisa en términos de procesos nucleares, productos de retroceso, producción de iones secundarios y distribuciones de energía de fragmentos. Además, el análisis exhaustivo incluye una comparación entre las respuestas a la irradiación de neutrones de carburo de silicio, carbono (diamante) y blancos de silicio. Finalmente, se discuten en detalle las consecuencias de estas interacciones en términos de generación de pares electrón-hueco, que es un mecanismo fundamental subyacente a los efectos transitorios de eventos individuales a nivel de dispositivo o circuito.

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