Un solo evento de endurecimiento de quemaduras de un SOI LDMOS de trinchera super-junction con caminos adicionales de fuga de agujeros
Autores: Wang, Yue; Wang, Lixin; Li, Yuanzhe; Cui, Mengyao; Zheng, Zhuoxuan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Un solo evento de endurecimiento de quemaduras de un SOI LDMOS de trinchera super-junction con caminos adicionales de fuga de agujeros
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
SJT SOI LDMOS
Rendimiento SEB
Voltaje de ruptura
Resistencia específica de encendido
Metal de fuente de trinchera
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 24
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone por primera vez un nuevo dispositivo de potencia de silicio sobre aislante con trinchera de superunión de metal-óxido-semiconductor difuso lateralmente (SJT SOI LDMOS) con trayectorias adicionales de fuga de huecos para mejorar el rendimiento de la quema de eventos individuales (SEB) bajo alta transferencia de energía lineal (LET).
Descripción
En este documento, se propone por primera vez un nuevo dispositivo de potencia de silicio sobre aislante con trinchera de superunión de metal-óxido-semiconductor difuso lateralmente (SJT SOI LDMOS) con trayectorias adicionales de fuga de huecos para mejorar el rendimiento de la quema de eventos individuales (SEB) bajo alta transferencia de energía lineal (LET).