Este documento evalúa el rendimiento de los transistores de potencia SiC de alto voltaje y amplio intervalo de banda equipados dentro de un circuito PFC de 3 kW sin puente trifásico. El objetivo principal del estudio es la evaluación experimental de las propiedades dinámicas y los requisitos de potencia de conducción de los transistores, para los cuales los parámetros son similares. Estos son productos competidores de diferentes fabricantes, mientras que el criterio de selección fue el mismo tipo de tecnología de paquete (D2PAK de 7 pines). En segundo lugar, se analizó el efecto del tipo de transistor en términos de la eficiencia de rendimiento del circuito PFC. Dentro del análisis, se construyó primero el circuito de controlador y se adaptó para la conducción de transistores de alto voltaje. Durante las mediciones individuales, el controlador permaneció igual, mientras que las pérdidas del controlador de compuerta se analizaron para transistores individuales. Los resultados obtenidos revelan diferencias relacionadas con los requisitos de potencia de conducción, así como con la dinámica de los propios transistores. Al final del documento, se realiza la evaluación de la eficiencia para diferentes condiciones de funcionamiento de un convertidor PFC construido. Los resultados obtenidos proporcionan una visión más detallada de las propiedades dinámicas de los transistores y su impacto en la eficiencia resultante del circuito principal también en términos de requisitos de conducción.