El beneficio de la técnica de super-juntura (SJ) en el rango de baja tensión (30 V) se investiga en este trabajo. Las optimizaciones como agregar una capa intermedia al dispositivo se han utilizado, pero las simulaciones y evidencias teóricas muestran que los beneficios de la técnica SJ son marginales para aplicaciones de 30 V. La estructura P flotante demostró ser un buen reemplazo para los dispositivos SJ en el rango de 30 V debido a un proceso de fabricación más simple, así como a ganancias de rendimiento logradas con la optimización. Además, se propone una nueva idea de combinar la capa P flotante con una capa de aislamiento de trinchera poco profunda y simularla utilizando TCAD, dando como resultado la figura de mérito ( x ) de 5.93 mOhm-nC, que es una mejora del 39% en el dispositivo P flotante estándar.