Las características del dispositivo de diodos Schottky GaN P-i-N fusionados (MPS) fueron evaluadas y estudiadas a través del diseño asistido por computadora en dos dimensiones (TCAD) después de calibrar los parámetros del modelo y los campos eléctricos críticos con resultados experimentales comprobados. Las dimensiones físicas del dispositivo y la concentración de la capa de deriva se variaron para estudiar su influencia en el rendimiento del dispositivo. Ampliar la distancia de la región inter-p-GaN o la porción de contacto Schottky podría mejorar la capacidad de conducción hacia adelante; sin embargo, esto conlleva a efectos de blindaje eléctrico comprometidos de las uniones PN vecinas, así como a una reducción en la tensión de ruptura. Al reducir la concentración de fondo de la capa de deriva, se esperaba una mayor tensión de ruptura para los MPS, ya que una parte más grande de la capa de deriva misma podría agotarse para soportar el voltaje inverso vertical. Sin embargo, reducir la concentración de la capa de deriva también resultaría en una reducción en la capacidad de conducción hacia adelante. El método y los resultados de este estudio proporcionan una guía para diseñar diodos MPS con un voltaje de bloqueo objetivo y una capacidad de conducción hacia adelante a bajo voltaje.