Evaluación de los GaN HEMTs en las pruebas de confiabilidad HTRB
Autores: Rodriguez, Jose A.; Tsoi, Tsz; Graves, David; Bayne, Stephen B.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Evaluación de los GaN HEMTs en las pruebas de confiabilidad HTRB
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Dispositivos de potencia
Carburo de silicio
Estaciones de carga de vehículos eléctricos
Estudios de fiabilidad
Alta humedad
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 25
Citaciones: Sin citaciones
Los dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) pueden ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y una mayor eficiencia que los dispositivos de Carburo de Silicio (SiC) y Silicio (Si) en aplicaciones de electrónica de potencia.
Descripción
Los dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) pueden ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y una mayor eficiencia que los dispositivos de Carburo de Silicio (SiC) y Silicio (Si) en aplicaciones de electrónica de potencia.