Una evaluación exhaustiva de la degradación de GaN HEMT bajo operación realista de amplificador de potencia
Autores: Bosi, Gianni; Raffo, Antonio; Vadalà, Valeria; Giofrè, Rocco; Crupi, Giovanni; Vannini, Giorgio
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Una evaluación exhaustiva de la degradación de GaN HEMT bajo operación realista de amplificador de potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Degradación
Amplificador de potencia
Dispositivos GaN HEMT
Caracterización de carga-pull
Fiabilidad tecnológica
Degradación del dispositivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, investigamos experimentalmente los efectos de degradación observados en dispositivos HEMT de GaN de 0.15 um al operar en condiciones realistas de amplificador de potencia.
Descripción
En este trabajo, investigamos experimentalmente los efectos de degradación observados en dispositivos HEMT de GaN de 0.15 um al operar en condiciones realistas de amplificador de potencia.